Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 1.8 W Through Hole TO-18
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | |
製造元 | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-18 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA | |
周波数 - 遷移 | 200MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 20nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 40 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 600 mA | |
トランジスタの種類 | PNP | |
パワー - 最大 | 1.8 W | |
その他の名前 | 1514-2N2907PBFREE 2N2907CS 2N2907CS-ND |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。