RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
基本製品番号 | MPSH10 | |
シリーズ | - | |
雑音指数 (dB Typ @ f) | - | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 60 @ 4mA, 10V | |
周波数 - 遷移 | 650MHz | |
得 | - | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 25V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 50mA | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 350mW |
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