RF Transistor NPN 12V 80mA 7.5GHz 580mW Surface Mount MICRO-X1
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF | |
製造元 | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | MICRO-X1 | |
シリーズ | - | |
雑音指数 (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz | |
パッケージ・ケース | MICRO-X1 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 50 @ 30mA, 8V | |
周波数 - 遷移 | 7.5GHz | |
得 | 12.5dB ~ 13.5dB | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 12V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 80mA | |
トランジスタの種類 | NPN | |
パワー - 最大 | 580mW | |
その他の名前 | BFY193 (P) BFY193 (P)-ND |
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