EMF17T2R

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
NOVA部品番号:
299-2017499-EMF17T2R
製造メーカー部品番号:
EMF17T2R
ひょうじゅんほうそう:
8,000
技術データシート:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6

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カテゴリトランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
製造元Rohm Semiconductor
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ EMT6
基本製品番号 EMF17
シリーズ-
パッケージ・ケースSOT-563, SOT-666
抵抗 - ベース (R1)2.2kOhms
抵抗 - エミッタ ベース (R2)2.2kOhms
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
周波数 - 遷移250MHz, 140MHz
電流 - コレクタカットオフ (最大)500nA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)50V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 100mA, 150mA
トランジスタの種類1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
パワー - 最大 150mW

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