Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | US6 | |
基本製品番号 | RN2908 | |
シリーズ | - | |
パッケージ・ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
抵抗 - ベース (R1) | 47kOhms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 22kOhms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
周波数 - 遷移 | 200MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100mA | |
トランジスタの種類 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
パワー - 最大 | 200mW | |
その他の名前 | RN2908(T5LFT)TR RN2908(T5LFT)CT RN2908(T5LFT)DKR |
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