RN1705JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
NOVA部品番号:
299-2013176-RN1705JE(TE85L,F)
製造メーカー部品番号:
RN1705JE(TE85L,F)
ひょうじゅんほうそう:
4,000
技術データシート:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

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カテゴリトランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス
製造元Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ ESV
基本製品番号 RN1705
シリーズ-
パッケージ・ケースSOT-553
抵抗 - ベース (R1)2.2kOhms
抵抗 - エミッタ ベース (R2)47kOhms
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
周波数 - 遷移250MHz
電流 - コレクタカットオフ (最大)100nA (ICBO)
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)50V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 100mA
トランジスタの種類2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
パワー - 最大 100mW
その他の名前RN1705JE(TE85LF)DKR
RN1705JE(TE85LF)TR
RN1705JE(TE85LF)CT

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