Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA - 350mW Through Hole TO-78-6
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-78-6 | |
パッケージ・ケース | TO-78-6 Metal Can | |
シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/336 | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 300 @ 1mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 250mV @ 100µA, 1mA | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 10µA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 60V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 50mA | |
トランジスタの種類 | 2 PNP (Dual) | |
パワー - 最大 | 350mW | |
その他の名前 | 1086-20921-MIL 1086-20921-ND 150-JAN2N3811U 1086-20921 |
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