Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 800MHz 100mW Surface Mount ES6
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | ES6 | |
基本製品番号 | HN2A01 | |
パッケージ・ケース | SOT-563, SOT-666 | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
周波数 - 遷移 | 800MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 150mA | |
トランジスタの種類 | 2 PNP (Dual) | |
パワー - 最大 | 100mW | |
その他の名前 | HN2A01FE-GR(TE85LFTR HN2A01FE-GR(TE85LFDKR HN2A01FE-GR(TE85LFCT |
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