Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | SM6 | |
基本製品番号 | HN3A51 | |
パッケージ・ケース | SC-74, SOT-457 | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | |
周波数 - 遷移 | 100MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 120V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100mA | |
トランジスタの種類 | 2 PNP (Dual) | |
パワー - 最大 | 300mW | |
その他の名前 | HN3A51F(TE85LF)CT HN3A51FTE85LF HN3A51F(TE85LF)TR HN3A51F (TE85L,F) HN3A51F(TE85LF)DKR |
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