Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA - 2.25W Through Hole 18-DIP
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -40°C ~ 105°C | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 18-DIP | |
基本製品番号 | ULQ2803 | |
パッケージ・ケース | 18-DIP (0.300", 7.62mm) | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 1000 @ 350mA, 2V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | - | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 500mA | |
トランジスタの種類 | 8 NPN Darlington | |
パワー - 最大 | 2.25W | |
その他の名前 | 497-2362-5 497-2362-5-NDR |
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