Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 3A - 3W Through Hole 8-DIP
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DIP | |
基本製品番号 | STD830 | |
パッケージ・ケース | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 18 @ 700mA, 5V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 500mV @ 200mA, 1A | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100µA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 400V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 3A | |
トランジスタの種類 | NPN, PNP | |
パワー - 最大 | 3W | |
その他の名前 | 497-12244 |
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