Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 60V 3A - 4W Through Hole 10-SIP
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | Sanken | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 10-SIP | |
基本製品番号 | STA412 | |
パッケージ・ケース | 10-SIP | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 300 @ 500mA, 4V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1V @ 10mA, 1A | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100µA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 60V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 3A | |
トランジスタの種類 | 4 NPN (Quad) | |
パワー - 最大 | 4W | |
その他の名前 | STA412A DK |
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