Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 6-HUSON (2x2) | |
パッケージ・ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 200 @ 1A, 2V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 290mV @ 200mA, 2A | |
周波数 - 遷移 | 120MHz | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 100nA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 30V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 2A | |
トランジスタの種類 | NPN, PNP | |
パワー - 最大 | 510mW | |
その他の名前 | NEXNXPPBSS4230PANP,115 2156-PBSS4230PANP,115 |
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