JAN2N5793

NPN TRANSISTOR
NOVA部品番号:
298-2011741-JAN2N5793
製造メーカー部品番号:
JAN2N5793
ひょうじゅんほうそう:
1

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA - 600mW Through Hole TO-78-6

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カテゴリトランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ
製造元Microchip Technology
RoHS 1
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-78-6
パッケージ・ケースTO-78-6 Metal Can
シリーズMilitary, MIL-PRF-19500/495
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce 40 @ 150mA, 10V
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic 900mV @ 30mA, 300mA
周波数 - 遷移-
電流 - コレクタカットオフ (最大)10µA (ICBO)
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)40V
電流 - コレクタ (Ic) (最大) 600mA
トランジスタの種類2 NPN (Dual)
パワー - 最大 600mW

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