Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA - - Through Hole 16-CERDIP
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 125°C (TA) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 16-CERDIP | |
基本製品番号 | SG2013 | |
パッケージ・ケース | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 900 @ 500mA, 2V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | - | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 600mA | |
トランジスタの種類 | 7 NPN Darlington | |
パワー - 最大 | - | |
その他の名前 | 150-SG2013J |
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