Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA - 1.5W Through Hole TO-116
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ | |
製造元 | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-116 | |
パッケージ・ケース | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | |
シリーズ | - | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 1V @ 50mA, 500mA | |
周波数 - 遷移 | - | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 10µA (ICBO) | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 800mA | |
トランジスタの種類 | 4 NPN (Quad) | |
パワー - 最大 | 1.5W |
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