Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 212A (DC) Through Hole TO-247-2
カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル | |
製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-2 | |
基本製品番号 | GC50MPS12 | |
シリーズ | SiC Schottky MPS™ | |
電流 - 平均整流 (Io) | 212A (DC) | |
パッケージ・ケース | TO-247-2 | |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
静電容量 @ Vr、F | 3263pF @ 1V, 1MHz | |
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 40 µA @ 1200 V | |
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.8 V @ 50 A | |
ダイオードの種類 | Silicon Carbide Schottky | |
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 1200 V | |
逆回復時間 (trr) | 0 ns | |
その他の名前 | 1242-1340 |
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