Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 4A Through Hole TO-220F
カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル | |
製造元 | WeEn Semiconductors | |
RoHS | 1 | |
スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220F | |
シリーズ | - | |
電流 - 平均整流 (Io) | 4A | |
パッケージ・ケース | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | |
動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | |
静電容量 @ Vr、F | 130pF @ 1V, 1MHz | |
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 170 µA @ 650 V | |
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.7 V @ 4 A | |
ダイオードの種類 | Silicon Carbide Schottky | |
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 650 V | |
逆回復時間 (trr) | 0 ns | |
その他の名前 | 934070151127 |
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