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GB01SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
NOVA部品番号:
287-2355355-GB01SLT12-252
製造メーカー部品番号:
GB01SLT12-252
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
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Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 1A Surface Mount TO-252
| カテゴリ | ダイオード - 整流器 - シングル | |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| スピード | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252 | |
| 基本製品番号 | GB01SLT12 | |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ | |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 1A | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | |
| 静電容量 @ Vr、F | 69pF @ 1V, 1MHz | |
| 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 2 µA @ 1200 V | |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.8 V @ 1 A | |
| ダイオードの種類 | Silicon Carbide Schottky | |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 1200 V | |
| 逆回復時間 (trr) | 0 ns | |
| その他の名前 | 1242-1126-ND 1242-1126-6 1242-1126-2 1242-1126 1242-1126-1 GB01SLT12252 |
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