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IGBT PT 1200 V Through Hole TO-247AB
Catégorie de produits | Transistors - IGBT - Unique | |
Fabricant: | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247AB | |
Type d'entrée | Standard | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 1200 V | |
Série | - | |
Type d'IGBT | PT | |
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) | 35 A | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 35A | |
Changement d'énergie | 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) | |
Frais de porte | 50 nC | |
Td (marche/arrêt) @ 25°C | - | |
Temps de récupération inverse (trr) | 36 ns | |
Paquet/caisse | TO-247-3 | |
Condition de test | 800V, 35A, 22Ohm, 15V | |
Autres noms | 1242-1141 |
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