SI4056DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
NOVA partie #:
312-2285258-SI4056DY-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4056DY-T1-GE3
Paquet Standard:
2,500

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N-Channel 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base SI4056
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieTrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 11.1A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29.5 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Autres nomsSI4056DYT1GE3
SI4056DY-T1-GE3TR
SI4056DY-T1-GE3CT
SI4056DY-T1-GE3DKR

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