IRFSL3607PBF

HEXFET POWER MOSFET
NOVA partie #:
312-2294636-IRFSL3607PBF
Pièce de fabricant non:
IRFSL3607PBF
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:International Rectifier
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-262
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)75 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 140W (Tc)
Autres noms2156-IRFSL3607PBF
IFEIRFIRFSL3607PBF

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