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N-Channel 100 V 32.1A (Tc) 46.1W (Tc) Through Hole TO-220F
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220F | |
Numéro de produit de base | PSMN0 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 32.1A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 46.2 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2404 pF @ 50 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 46.1W (Tc) | |
Autres noms | 934066045127 2156-PSMN016-100XS127-NX PSMN016100XS127 PSMN016-100XS127 568-9500-5 NEXNXPPSMN016-100XS,127 PSMN016-100XS,127-ND |
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