IRF8707TRPBF

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
NOVA partie #:
312-2274776-IRF8707TRPBF
Pièce de fabricant non:
IRF8707TRPBF
Paquet Standard:
4,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Infineon Technologies
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SO
Numéro de produit de base IRF8707
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieHEXFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 2.5W (Ta)
Autres nomsSP001555780
IRF8707TRPBFDKR
IRF8707TRPBFCT
IRF8707TRPBFTR

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