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N-Channel 1200 V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Wolfspeed, Inc. | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | Die | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Série | Z-FET™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 50A (Tj) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8 nC @ 20 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | Die | |
Vg (Max) | +25V, -5V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1915 pF @ 800 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 313mW (Tj) |
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