CPMF-1200-S080B

SICFET N-CH 1200V 50A DIE
NOVA partie #:
312-2345120-CPMF-1200-S080B
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
CPMF-1200-S080B
Paquet Standard:
1

Format de téléchargement disponible

N-Channel 1200 V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Wolfspeed, Inc.
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur Die
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
SérieZ-FET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 50A (Tj)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90.8 nC @ 20 V
Fonction FET-
Paquet/caisseDie
Vg (Max)+25V, -5V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1915 pF @ 800 V
Dissipation de puissance (maximale) 313mW (Tj)

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