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N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-7 | |
Numéro de produit de base | BSC014 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 100A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 25 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 12 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) | |
Autres noms | BSC014NE2LSIATMA1TR BSC014NE2LSIDKR BSC014NE2LSICT-ND BSC014NE2LSITR-ND SP000911336 BSC014NE2LSI-ND INFINFBSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI BSC014NE2LSIATMA1CT BSC014NE2LSICT BSC014NE2LSIDKR-ND 2156-BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1DKR |
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