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- 750 V - - Through Hole TO-247-3
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | - | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-247-3 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Série | G3R™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | - | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-247-3 | |
Vg (Max) | - | |
Type FET | - | |
Tension drain à source (Vdss) | 750 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | - | |
Autres noms | 1242-G3R60MT07D |
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