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N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23F | |
Numéro de produit de base | SSM3K318 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | U-MOSIV | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 2A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | SOT-23-3 Flat Leads | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 30 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 1W (Ta) | |
Autres noms | SSM3K318RLFCT SSM3K318R,LF(B SSM3K318RLF SSM3K318RLFTR SSM3K318R,LF(T SSM3K318RLFDKR |
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