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N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-SOT23 | |
Numéro de produit de base | BSS806 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 2.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vg (Max) | ±8V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 529 pF @ 10 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 500mW (Ta) | |
Autres noms | BSS806N H6327 BSS806NH6327XTSA1TR BSS806N H6327DKR-ND IFEINFBSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1CT BSS806N H6327CT BSS806N H6327CT-ND BSS806NH6327XTSA1DKR BSS806N H6327-ND BSS806NH6327 2156-BSS806NH6327XTSA1 SP000928952 BSS806N H6327TR-ND BSS806N H6327DKR |
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