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N-Channel 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | X2-DFN1006-3 | |
Numéro de produit de base | DMN2005 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 100µA | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 3-XFDFN | |
Vg (Max) | ±10V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 20 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 41 pF @ 3 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 400mW (Ta) | |
Autres noms | DMN2005LP4KDITR DMN2005LP4K7 DMN2005LP4KDICT DMN2005LP4KDIDKR |
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