FDC645N

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
NOVA partie #:
312-2285576-FDC645N
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
FDC645N
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
Numéro de produit de base FDC645
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SériePowerTrench®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
Fonction FET-
Paquet/caisseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vg (Max)±12V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)30 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1460 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (maximale) 1.6W (Ta)
Autres nomsFDC645NDKR
FAIFSCFDC645N
2156-FDC645N-OS
FDC645NTR
FDC645N-ND
FDC645NCT

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