CSD19535KTTT

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
NOVA partie #:
312-2283516-CSD19535KTTT
Pièce de fabricant non:
CSD19535KTTT
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Texas Instruments
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur DDPAK/TO-263-3
Numéro de produit de base CSD19535
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieNexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 200A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7930 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 300W (Tc)
Autres noms296-41135-6
296-41135-2
296-41135-1

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