CSD19531KCS

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
NOVA partie #:
312-2288995-CSD19531KCS
Pièce de fabricant non:
CSD19531KCS
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Texas Instruments
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220-3
Numéro de produit de base CSD19531
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieNexFET™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3870 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale) 214W (Tc)
Autres noms-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-ND
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-ND

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