RV2C010UNT2L

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
NOVA partie #:
312-2336722-RV2C010UNT2L
Pièce de fabricant non:
RV2C010UNT2L
Paquet Standard:
8,000
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount VML1006

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Rohm Semiconductor
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur VML1006
Numéro de produit de base RV2C010
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Fonction FET-
Paquet/caisseSC-101, SOT-883
Vg (Max)±8V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale) 400mW (Ta)
Autres nomsRV2C010UNT2LDKR
RV2C010UNT2LCT
RV2C010UNT2LTR

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