SI4447ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
NOVA partie #:
312-2285281-SI4447ADY-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4447ADY-T1-GE3
Paquet Standard:
2,500

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P-Channel 40 V 7.2A (Tc) 4.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Vishay Siliconix
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base SI4447
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieTrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 7.2A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vg (Max)±20V
Type FETP-Channel
Tension drain à source (Vdss)40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 970 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale) 4.2W (Tc)
Autres nomsSI4447ADY-T1-GE3TR
SI4447ADY-T1-GE3CT
SI4447ADY-T1-GE3DKR
SI4447ADY-T1-GE3-ND

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