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P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-236AB (SOT23) | |
Numéro de produit de base | TP5335 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 85mA (Tj) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30Ohm @ 200mA, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | P-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 350 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 360mW (Ta) | |
Autres noms | TP5335K1-GDKR TP5335K1-GTR TP5335K1-G-ND TP5335K1-GCT |
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