FQPF33N10L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
NOVA partie #:
312-2274930-FQPF33N10L
Pièce de fabricant non:
FQPF33N10L
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Fairchild Semiconductor
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220F-3
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieQFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3 Full Pack
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 41W (Tc)
Autres noms2156-FQPF33N10L
FAIFSCFQPF33N10L

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