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N-Channel 100 V 70.4A (Tc) 63.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-220F | |
Numéro de produit de base | PSMN4 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | - | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 70.4A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 15A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9900 pF @ 50 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 63.8W (Tc) | |
Autres noms | 568-10158-ND PSMN4R6-100XS,127-ND 934067065127 2156-PSMN4R6-100XS127-NX 568-10158 PSMN4R6100XS127 NEXNXPPSMN4R6-100XS,127 568-10158-5 |
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