IPW60R099P6XKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3

NOVA partie #:

312-2289824-IPW60R099P6XKSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

IPW60R099P6XKSA1

Paquet Standard:

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TO247-3
Numéro de produit de base	IPW60R099
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	CoolMOS™ P6
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	37.9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-247-3
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3330 pF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximale)	278W (Tc)
Autres noms	2156-IPW60R099P6XKSA1 SP001114658 INFINFIPW60R099P6XKSA1