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EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
NOVA partie #:
312-2263134-EPC2019
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
EPC2019
Paquet Standard:
1,000
Fiche technique:
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N-Channel 200 V 8.5A (Ta) - Surface Mount Die
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Die | |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Série | eGaN® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | Die | |
| Vg (Max) | +6V, -4V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 100 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | - | |
| Autres noms | 917-1087-1 917-1087-2 917-1087-6 |
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