TPH1R306PL1,LQ

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
NOVA partie #:
312-2294625-TPH1R306PL1,LQ
Pièce de fabricant non:
TPH1R306PL1,LQ
Paquet Standard:
5,000

Format de téléchargement disponible

N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
emballageTape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 175°C
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOP Advance (5x5.75)
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SérieU-MOSIX-H
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisse8-PowerTDFN
Vg (Max)±20V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)60 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8100 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (maximale) 960mW (Ta), 210W (Tc)
Autres noms264-TPH1R306PL1LQTR
264-TPH1R306PL1LQCT
264-TPH1R306PL1LQDKR
TPH1R306PL1,LQ(M

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