RFP12N10L

MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
NOVA partie #:
312-2263530-RFP12N10L
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RFP12N10L
Paquet Standard:
800
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 100 V 12A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:onsemi
RoHS 1
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220-3
Numéro de produit de base RFP12N10
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Fonction FET-
Paquet/caisseTO-220-3
Vg (Max)±10V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 60W (Tc)
Autres nomsRFP12N10L-NDR

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