APTM20DAM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6
NOVA partie #:
312-2314614-APTM20DAM05G
Pièce de fabricant non:
APTM20DAM05G
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

N-Channel 200 V 317A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6

More Information
Catégorie de produitsTransistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:Microchip Technology
RoHS 1
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageChassis Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur SP6
Numéro de produit de base APTM20
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Série-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 317A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 448 nC @ 10 V
Fonction FET-
Paquet/caisseSP6
Vg (Max)±30V
Type FETN-Channel
Tension drain à source (Vdss)200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 27400 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale) 1136W (Tc)

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