SI7613DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

NOVA partie #:

312-2287709-SI7613DN-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SI7613DN-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Numéro de produit de base	SI7613
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	PowerPAK® 1212-8
Vg (Max)	±16V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2620 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximale)	3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Autres noms	SI7613DN-T1-GE3TR SI7613DNT1GE3 SI7613DN-T1-GE3DKR SI7613DN-T1-GE3CT