l’altium
aigle
OrCad
coussinets
à propos de KiCad
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
NOVA partie #:
312-2289925-AIMW120R080M1XKSA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
AIMW120R080M1XKSA1
Paquet Standard:
30
Fiche technique:
Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
N-Channel 1200 V 33A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3-41 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Série | Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 13A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V | |
| Fonction FET | Depletion Mode | |
| Paquet/caisse | TO-247-3 | |
| Vg (Max) | +20V, -7V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 800 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 150W (Tc) | |
| Autres noms | 448-AIMW120R080M1XKSA1 SP004807194 |
In stock Veuillez nous contacter
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.
Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!
AIMW120R060M1HXKSA1Infineon Technologies- AIMW120R035M1HXKSA1Infineon Technologies
C2M0080120DWolfspeed, Inc.
AIMW120R045M1XKSA1Infineon Technologies
C3M0075120DWolfspeed, Inc.
SCT3030KLHRC11Rohm Semiconductor- SCT3080ALHRC11Rohm Semiconductor
IXTH6N100D2IXYS
NTHL080N120SC1Aonsemi- IXTH16N50D2IXYS
IXTH16N10D2IXYS
