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N-Channel 30 V 70A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 175°C | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
Numéro de produit de base | TPN2R903 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | U-MOSIX-H | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 70A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 35A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 200µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerVDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 15 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 630mW (Ta), 75W (Tc) | |
Autres noms | 264-TPN2R903PLL1QTR 264-TPN2R903PLL1QCT TPN2R903PL,L1Q(M 264-TPN2R903PLL1QDKR |
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