BSP149H6906XTSA1

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MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

NOVA partie #:

312-2263436-BSP149H6906XTSA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSP149H6906XTSA1

Paquet Standard:

1,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-SOT223-4
Numéro de produit de base	BSP149
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	SIPMOS®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	660mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 5 V
Fonction FET	Depletion Mode
Paquet/caisse	TO-261-4, TO-261AA
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (maximale)	1.8W (Ta)
Autres noms	BSP149H6906XTSA1TR BSP149H6906XTSA1CT 2156-BSP149H6906XTSA1 INFINFBSP149H6906XTSA1 SP001058604 BSP149H6906XTSA1DKR