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IPN70R1K2P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
NOVA partie #:
312-2285628-IPN70R1K2P7SATMA1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
IPN70R1K2P7SATMA1
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-SOT223 | |
| Numéro de produit de base | IPN70R1 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | CoolMOS™ P7 | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vg (Max) | ±16V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 700 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 174 pF @ 400 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 6.3W (Tc) | |
| Autres noms | SP001664900 IPN70R1K2P7SATMA1-ND IPN70R1K2P7SATMA1CT IPN70R1K2P7SATMA1TR IPN70R1K2P7SATMA1DKR |
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