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NTBGS1D5N06C
POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
NOVA partie #:
312-2274263-NTBGS1D5N06C
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTBGS1D5N06C
Paquet Standard:
800
Fiche technique:
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N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | D2PAK (TO-263) | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 35A (Ta), 267A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V, 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55mOhm @ 64A, 12V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 318µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 78.6 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 30 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3.7W (Ta), 211W (Tc) | |
| Autres noms | 488-NTBGS1D5N06CCT 488-NTBGS1D5N06CTR 488-NTBGS1D5N06CDKR |
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