RD3G03BATTL1

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PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3

NOVA partie #:

312-2295928-RD3G03BATTL1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

RD3G03BATTL1

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

P-Channel 40 V 35A (Ta) 56W (Ta) Surface Mount TO-252

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Rohm Semiconductor
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	TO-252
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	35A (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vg (Max)	±20V
Type FET	P-Channel
Tension drain à source (Vdss)	40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (maximale)	56W (Ta)
Autres noms	846-RD3G03BATTL1TR 846-RD3G03BATTL1DKR 846-RD3G03BATTL1CT